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MTM68411

更新时间： 2024-10-15 20:00:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	305K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, WMINI8-F1, 8 PIN

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MTM68411 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A	最大漏极电流 (ID)：	4.8 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM68411 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MTM68411

Silicon P-channel MOS FET

For load switch circuits

For switching circuits

 Package

ꢀCode

 Overview

MTM68411 is the low ON resistance dual P-channel MOS FET designed for

load switch circuits.

WMini8-F1

Package dimension clicks here.→ Click!

 Features

ꢀPin Name

1: Source

2: Gate

 Dual P-channel MOS FET in one package

 Low drain-source ON resistance: R_DS(on)typ. = 23 mW (V_GS= -5.0 V)

5: Drain

6: Drain

7: Drain

8: Drain



Small package and surface mounting type: WMini8-F1 (2.8 mm × 2.9 mm × 1.0 mm)

 Low drive voltage: 1.8 V drive

3: Source

4: Gate

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

 Marking Symbol: 1D

 Packaging

MTM684110L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Internal Connection

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(D) (D) (D)

(D)

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

-12

Unit

±8

-4.8

Peak drain current

I_DP

-19

(S) (G) (S) (G)

Power dissipation ^*

P_D

1.0

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note)

In case of being attached to 300 mm²area or more of copper foil of a drain on

a glass epoxy board (25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm)

P_Dabsolute maximum rating without a heat shink: 400 mW

Publication date: January 2012

Ver. CED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM684110L	PANASONIC	获取价格	Transistor
MTM684110LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTM68423	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTM6N100E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
MTM6N55	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor
MTM6N60	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N60	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 800V 6A
MTM6N80E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N85	MOTOROLA	获取价格	6A, 850V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM6N90	MOTOROLA	获取价格	6A, 900V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

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