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MTM684110LBF

更新时间： 2024-10-15 20:53:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	379K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WMINI8-F1, SC-115, 8 PIN

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MTM684110LBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-115, 8 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	5.75	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.8 A
最大漏极电流 (ID)：	4.8 A	最大漏源导通电阻：	0.032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM684110LBF 数据手册

Doc No. TT4-EA-13593

Revision. 2

Product Standards

MOS FET

MTM684110LBF

Dual P-channel MOSFET

Unit: mm

2.9

For switching

0.3

0.16

 Features

 Low drain-source On-state Resistance

RDS(on) typ. = 23 m (VGS =-5.0 V)

 Low drive voltage:1.8V drive

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

(0.81)

0.65

 Marking Symbol

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Gate

5. Drain

6. Drain

7. Drain

8. Drain

 Basic Part Number: Dual MTM76111 (Individual)

Panasonic

JEITA

WMini8-F1

SC-115

―

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing) 3 000 pcs / reel (standard)

Code

Internal Connection

 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

Symbol

VDS

VGS

Rating

-12

±8

-4.8

-19

1.0

Unit

°C

(D) (D) (D) (D)

FET1

FET2

Peak drain current

IDp

Total power dissipation ^*1

Channel temperature

Tch

150

-40 to + 85

-55 to +150

Overall

(S) (G) (S) (G)

Operating ambient temperature

Storage temperature

Topr

Tstg

Note) *1 Glass epoxy board: 25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm Copper foil

Pin Name

of the drain portion should have a area of 300 mm²or more

1. Source

5. Drain

6. Drain

7. Drain

8. Drain

PD absolute maximum rating without a heat shink: 400 mW

2. Gate

3. Source

4. Gate

Page 1 of 6

Established : 2011-03-25

Revised

: 2013-10-15

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM68423	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTM6N100E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
MTM6N55	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor
MTM6N60	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N60	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 800V 6A
MTM6N80E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N85	MOTOROLA	获取价格	6A, 850V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM6N90	MOTOROLA	获取价格	6A, 900V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM76110	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM761100LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

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