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MTM68423

更新时间： 2024-10-15 21:18:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	256K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, WMINI8-F1, 8 PIN

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MTM68423 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MTM68423 数据手册

Attains the industry’s lowest on-resistance

Small, Low On-Resistance MOSFET Series

Unit : mm

Overview

2.00 0.10

The new MOSFET contribute to reduced dimensions and weight as

6-0.20 −⁺0⁰.^.0⁰2⁵

0.13−⁺0⁰.^.0⁰3⁵

well as lower power consumption for cellular phones, digital still

cameras, digital video cameras, notebook PCs, AV systems and other

electronic equipment. This, in turn, results in longer operation time

for battery-driven equipment.

(0.65)

1.30 0.10

(0.65)

Feature

• Latest micromachining process achieves the industry’s lowest on-

resistance.

5°

• Low voltage operation possible (1.8V, 2.5V)

• Halogen Free Package

Applications

Load switch circuit, switching circuit

WSMini6-F1

Unit : mm

2.90 0.10

0.16−⁺0⁰.^.0¹5⁰

■ Internal Wiring

8-0.30−⁺0⁰.^.0¹5⁰

0.65

5°

MTM76 series

MTM68 series

WMini8-F1

Specifications

R_DS(on) (typ) (mΩ)

V_DSSV_GSS

I_D

Ciss

Polarity

Pch

type

Single

Dual

Part No.

Package

(V)

（A)

（pF）

V_GS= 4.0V V_GS= 2.5V

V_GS= 1.8V

MTM76110

MTM76123

MTM68410

MTM68423

-12

-20

-12

-20

± 8

± 10

± 8

± 10

-4.0

-3.0

-4.8

-4.2

1200

1000

1200

1000

WSMini6-F1

WMini8-F1

New publication, effective from 1 Oct. 2008

M00695HE

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与MTM68423相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM6N100E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
MTM6N55	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor
MTM6N60	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N60	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 800V 6A
MTM6N80E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM6N85	MOTOROLA	获取价格	6A, 850V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM6N90	MOTOROLA	获取价格	6A, 900V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM76110	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM761100LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM76111	PANASONIC	获取价格	VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI

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