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MTM78E2BLFBF

更新时间： 2024-10-15 21:09:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	355K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSMINI8-F1-B-A-A-B, SC-113E, 8 PIN

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MTM78E2BLFBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.76	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.0295 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM78E2BLFBF 数据手册

MTM78E2BLFBF

Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type

Unit: mm

For lithium-ion secondary battery protection circuit

Features

y Low Drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ = 21.5 mΩ（VGS = 4.0 V)

y 100% Pb free package

y Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

Marking Symbol: 5B

1. Source(FET1) 5. Drain(FET1,2)

Packaging

2. Gate(FET1)

6. Drain(FET1,2)

MTM78E2BLFBF Embossed type (Thermo-compression sealing):

3. Source(FET2) 7. Drain(FET1,2)

3 000 pcs / reel (standard)

4. Gate(FET2)

8. Drain(FET1,2)

Panasonic

JEITA

WSMini8-F1-B-A-A-B

SC-113E

Code

―

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Internal Connection

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

Symbol

VDS

VGS

Rating

Unit

FET1

FET2

± ±12

4.0

700

FET 1

FET 2

Drain Current (Pulsed) ^*1

IDp

PD1 ^*2

PD2 ^*3

Tch

Total Power Dissipation

150

Overall

Channel Temperature

Storage Temperature Range

Resistance Value

150

-55 to +150

°C

kΩ

Tstg

Note: *1

t = 10 μs, Duty Cycle ≤ 1 %

*2 Ceramic substrate (70 × 70 × t 1.0 mm), Dual operating

*3 Non-heat sink

Pin name

1. Source(FET1) 5. Drain(FET1,2)

2. Gate(FET1) 6. Drain(FET1,2)

3. Source(FET2) 7. Drain(FET1,2)

4. Gate(FET2) 8. Drain(FET1,2)

Publication date: December 2012

Ver. BED

12 3 4 5 6 7

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