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MTM86727

更新时间： 2024-10-15 21:18:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	299K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN

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MTM86727 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM86727 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Multi Chip Discrete

MTM86727

Silicon N-channel MOS FET (FET)

Silicon epitaxial planar type (SBD)

For DC-DC converter circuits

For switching circuits

 Package

ꢀCode

 Overview

WSSMini6-F1

ꢀPin Name

1. Gate

MTM86727 is the composite MOS FET (N-channel MOS FET and schottky

barrier diode) that is highly suitable for DC-DC converter and other switching

circuits.

4. Cathode

5. Drain

2. Source

3. Anode

6. Drain

 Features

 Built-in schottky barrier diode: V_R= 20 V, I_F= 800 mA

 Low ON resistance: R_on= 80 mW (V_GS= 4.0 V)

 Low short-circuit input capacitance (common source): C_iss= 280 pF

 Small package: WSSMini6-F1 (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm)

 Low drive voltage: 2.5 V drive

 Marking Symbo: JE

 Internal Connection

(D)

(C)

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

±10

2.2

(G)

(S)

(A)

FET

Peak drain current

I_DP

8.0

Channel temperature

Storage temperature

Reverse voltage

150

°C

stg

-55 to +150

V_R

Forward current (Average)

I_F(AV)

800

Non-repetitive

peak reverse surge voltage ^*

SBD

I_FSM

T_j

Junction temperature

125

-55 to +125

540

°C

Storage temperature

stg

Overall Total power dissipation ^*

P_D

Note) : 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)

2: Measuring on ceramic substrate at 40 mm × 38 mm × 0.2 mm

P_Dabsolute maximum rating without a heat shink: 150 mW

Publication date: October 2008

SJF00086CED

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与MTM86727相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM86927	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
MTM8N20	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 350V 8A
MTM8N20	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM8N35	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
MTM8N35	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
MTM8N40	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
MTM8N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
MTM8N60	MOTOROLA	获取价格	Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
MTM8P08	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM8P10	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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