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MTM8N60

更新时间: 2024-10-14 21:53:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 390K
描述
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

MTM8N60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):180 pFJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):41 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):630 ns
最大开启时间(吨):230 nsBase Number Matches:1

MTM8N60 数据手册

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