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MTM86127

更新时间： 2024-10-15 20:42:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	480K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN

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MTM86127 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM86127 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MTM86127

Silicon P-channel MOS FET

For DC-DC converter circuits

 Overview

 Package

ꢀCode

MTM86127 is the low on resistance P-channel MOS FET designed for

DC-DC converter circuits.

WSSMini6-F1

ꢀPin Name

1: Drain

 Features

4: Source

5: Drain

6: Drain

 Low drain-source ON resistance: R_DS(on)typ. = 140 mW (V_GS= -1.8 V)

 Low drive voltage: 1.8 V drive

2: Drain

3: Gate

 Small package: WSSMini6-F1

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

 Marking Symbol: MK

 Internal Connection

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)

(D)

(S)

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

-20

Unit

±10

(D)

(G)

-2.0

Peak drain current

I_DP

-8.0

Power dissipation ^*

P_D

540

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note) : Measuring on ceramic substrate at 40 mm × 38 mm × 0.2 mm

P_Dabsolute maximum rating without a heat shink: 150 mW

Publication date: April 2011

Ver. CED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM86128	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM861280LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM862270LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM86624A	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
MTM86627A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86628	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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