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MTM861280LBF

更新时间： 2024-10-15 19:54:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 348K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN

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MTM861280LBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：5.75配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.56 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTM861280LBF 数据手册

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Doc No. TT4-EA-12308  
Revision. 2  
Product Standards  
MOS FET  
MTM861280LBF  
MTM861280LBF  
Silicon P-channel MOSFET  
Unit : mm  
1.6  
For Switching  
0.2  
0.13  
6
5
4
„ Features  
y
Low drain-source On-state Resistance  
: RDS(on) typ. = 300 mΩ (VGS = -4.0 V)  
Halogen-free / RoHS compliant  
y
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)  
1
2
3
0.5  
(0.5)(0.5)  
1.0  
„ Marking Symbol :  
„ Packaging  
ML  
1. Drain  
2. Drain  
3. Gate  
4. Source  
5. Drain  
6. Drain  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 10 000 pcs / reel (standard)  
Panasonic  
JEITA  
WSSMini6-F1  
―
―
Code  
„ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 °C  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Rating  
-20  
±12  
-1.0  
-4.0  
540  
150  
150  
Unit  
V
Internal Connection  
(D)  
6
(D)  
5
(S)  
4
A
Drain Current (Pulsed) *1  
IDp  
PD1 *2  
PD2 *3  
Tch  
Total Power Dissipation  
mW  
Channel Temperature  
Topr  
Tstg  
-40 to +85  
-55 to +150  
Operating Ambient Temperature  
Storage Temperature Range  
°C  
Note) *1  
*2  
t ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
Glass epoxy substrate (25.4 × 25.4 × t 0.8 mm) coated with  
copper foil (more than 300 mm2 )  
1
2
3
(D)  
(D)  
(G)  
*3 Non-heat sink  
Pin Name  
1. Drain  
2. Drain  
3. Gate  
4. Source  
5. Drain  
6. Drain  
Page 1 of  
6
Established : 2010-02-04  
Revised  
: 2013-10-17  
1234567

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与MTM861280LBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTM862270LBF PANASONIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM86624A PANASONIC

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 		Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
MTM86627A PANASONIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86628 PANASONIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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MTM8N20 NJSEMI

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MTM8N20 MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM8N35 MOTOROLA

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 		Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
MTM8N35 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V

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