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MTM86128

更新时间： 2024-10-15 14:53:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	521K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN

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MTM86128 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.56 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MTM86128 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MTM86128

Silicon P-channel MOS FET

For DC-DC converter circuits

For switching circuits

 Package

 Overview

ꢀCode

MTM86128 is the P-channel MOS FET that is highly suitable for DC-DC

converter and other switching circuits.

WSSMini6-F1

ꢀPin Name

1: Drain

4: Source

5: Drain

6: Drain

 Features

2: Drain

 Low ON resistance: R_on= 300 mW (typ.) (V_GS= 4.0 V)

 Low short-circuit input capacitance (common source): C_iss= 80 pF (typ.)

 Small surface mounting halogen-free package: WSSMini6-F1 (1.6 mm × 1.6

mm × 0.5 mm)

3: Gate

 Marking Symbol: ML

 Internal Connection

 Packaging

(D)

(S)

Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

-20

Unit

±12

(D)

(G)

-1.0

Peak drain current ^*

I_DP

-4.0

P_D1

P_D2

540

°C

Power dissipation

150

Channel temperature

Storage temperature

150

–55 to +150

stg

Note) 1: t ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2: Glass epoxy substrate (25.4 × 25.4 × t 0.8 mm) coated with copper foil

(more than 300 mm²)

3: Stand-alone (without the board)

Publication date: March 2011

Ver. CED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MTM862270LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM86624A	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET
MTM86627A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86628	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86727	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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