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MTM78E2B0LBF

更新时间： 2024-10-15 20:08:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	393K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSMINI8-F1-B, SC-113E, 8 PIN

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MTM78E2B0LBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-113E, 8 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	1.65
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MTM78E2B0LBF 数据手册

Doc No. TT4-EA-12408

Revision. 2

Product Standards

MOS FET

MTM78E2B0LBF

Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type

Unit: mm

2.0

For lithium-ion secondary battery protection circuit

0.2

0.13

 Features

 Low drain-source On-state Resistance

RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V)

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

0.7

0.5

 Marking Symbol:

 Packaging

1. Source 1

2. Gate 1

3. Source 2

4. Gate 2

5. Drain

6. Drain

7. Drain

8. Drain

Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)

Panasonic

JEITA

WSMini8-F1-B

SC-113E

―

Code

Internal Connection

 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

Symbol

VDS

VGS

Rating

12

4.0

700

150

Unit

(D) (D) (D) (D)

FET1

FET2

IDp

Peak drain current

PD1^*2

PD2^*3

Tch

R_g

Total power dissipation

1 kΩ

Overall

Note)

Channel temperature

Operating ambient temperature

Storage temperature

°C

Topr

Tstg

-40 to +85

-55 to +150

(S1) (G1) (S2) (G2)

*1 t = 10 μs, Duty Cycle < 1 %

Pin Name

Ceramic substrate (70 70 t 1.0 mm)

*2 Dual operating

1. Source 1

5. Drain

6. Drain

7. Drain

8. Drain

2. Gate 1

3. Source 2

4. Gate 2

*3 Stand-alone (without the substrate)

Page 1 of

Established : 2010-03-03

Revised : 2013-10-15

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM78E2BLFBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTM7N45	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
MTM7N50	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
MTM7N50	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM86124	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86127	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM86128	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM861280LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM862270LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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