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MTM763250LBF PDF预览

MTM763250LBF

更新时间： 2024-10-15 15:45:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 437K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSMINI6-F1-B, SC-113DA, 6 PIN

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MTM763250LBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTM763250LBF 数据手册

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Doc No. TT4-EA-13949  
Revision. 2  
MOS FET  
MTM763250LBF  
MTM763250LBF  
Silicon N-channel MOSFET (FET1)  
Silicon P-channel MOSFET (FET2)  
Unit : mm  
2.0  
0.2  
0.13  
For Switching  
For DC-DC Converter  
6
5
4
Features  
Low Drain-source On-state Resistance :  
RDS(on)typ. N-ch = 95 m（VGS = 4.0 V) P-ch:300 m(VGS = -4.0 V)  
Halogen-free / RoHS compliant  
1
2
3
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)  
0.7  
(0.65)(0.65)  
1.3  
Marking Symbol :  
DE  
Basic Part Number  
Nch+Pch MOS 20V (Individual)  
1. Source(FET1) 4. Source(FET2)  
2. Gate(FET1) 5. Gate(FET2)  
3. Drain(FET2) 6. Drain(FET1)  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing) 3 000 pcs / reel (standard)  
Panasonic  
JEITA  
WSMini6-F1-B  
SC-113DA  
―
Code  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Rating  
20  
10  
1.7  
6.8  
-20  
12  
-1.0  
-4.0  
Unit  
V
V
A
A
V
V
A
A
mW  
°C  
°C  
°C  
Drain-source Voltage  
Internal Connection  
FET1 Gate-source Voltage  
(D1) (G2)  
(S2)  
4
Drain current *2  
(N-ch.)  
6
5
Peak drain current *1,*2  
Drain-source Voltage  
IDp  
VDS  
VGS  
ID  
FET1  
FET2 Gate-source Voltage  
*2  
(P-ch.)  
Drain current  
Peak drain current *1,*2  
IDp  
PD  
FET2  
Total power dissipation *2  
700  
150  
-40 to +85  
-55 to +150  
Tch  
Topr  
Tstg  
Channel temperature  
Operating ambient temperature  
Storage Temperature Range  
Overall  
1
2
3
(S1)  
(G1) (D2)  
Note:  
*1  
t = 10 s、Duty cycle 1 %。  
Pin Name  
*2 Measuring on ceramic substrate at 40 mm 38 mm 0.2 mm.  
PD absolute maximum rating Non-heat sink: 150 mW.  
1. Source(FET1) 4. Source(FET2)  
2. Gate(FET1) 5. Gate(FET2)  
3. Drain(FET2) 6. Drain(FET1)  
Page 1 of 8  
Established : 2011-11-09  
Revised : 2013-10-21  
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