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MTM765200LBF

更新时间： 2024-10-15 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 229K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSMINI6-F1-B, SC-113DA, 6 PIN

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MTM765200LBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSMINI6-F1-B, SC-113DA, 6 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTM765200LBF 数据手册

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MTM765200LBF  
MTM765200LBF  
Dual N-channel MOSFET  
Unit: mm  
For switching  
Features  
Low drain-source ON resistance:RDS(on)typ = 80 mΩ（VGS = 4.0 V)  
Low drive voltage: 1.8 V drive  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
Marking Symbol: JA  
1. Source(FET1) 4. Source(FET2)  
Basic Part Number  
Dual Nch MOS 20 V (Individual)  
2. Gate(FET1)  
3. Drain(FET2)  
5. Gate(FET2)  
6. Drain(FET1)  
Packaging  
MTM765200LBF Embossed type (Thermo-compression sealing):  
ꢀ3 000 pcs / reel (standard)  
Panasonic  
JEITA  
Code  
WSMini6-F1-B  
SC-113DA  
-
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
Internal Connection  
Parameter  
Drain-source Voltage  
Gate-source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Rating  
20  
Unit  
V
V
A
A
6
5
4
FET1  
FET2  
10  
2.0  
12  
700  
150  
FET 1  
Drain Current (Pulsed) *1  
IDp  
PD1 *2  
PD2 *3  
Tch  
Total power dissipation  
mW  
Overall  
FET 2  
Channel temperature  
Storage temperature  
150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Note: *1  
*2  
t = 10 μs, Duty Cycle ≤ 1 %  
Glass epoxy board ( 25.4 × 25.4 × t0.8 mm ) coated with  
copper foil, which has more than 300 mm2  
1
2
3
Pin name  
*3 Non-heat sink  
1. Source(FET1) 4. Source(FET2)  
2. Gate(FET1)  
3. Drain(FET2)  
5. Gate(FET2)  
6. Drain(FET1)  
Publication date: October 2012  
Ver. DED  
1
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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