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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM6N55 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistor |
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| MTM6N60 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM6N60 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A |
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| MTM6N80E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM6N85 | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 850V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM6N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 900V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM76110 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM761100LBF | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTM76111 | PANASONIC |
获取价格 |
VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI |
|
| MTM761110LBF | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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