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MRF275G

更新时间： 2024-11-19 22:45:59
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泰科 - TE 晶体晶体管射频放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 262K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND 100 . 500 MHz RF POWER FET

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MRF275G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (ID)：26 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF275G 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF275G/D  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode  
Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages from  
100 – 500 MHz.  
150 W, 28 V, 500 MHz  
N–CHANNEL MOS  
BROADBAND  
•
Guaranteed Performance @ 500 MHz, 28 Vdc  
Output Power — 150 Watts  
Power Gain — 10 dB (Min)  
Efficiency — 50% (Min)  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with VSWR 30:1  
100 – 500 MHz  
RF POWER FET  
•
•
Overall Lower Capacitance @ 28 V  
C
C
C
— 135 pF  
— 140 pF  
— 17 pF  
iss  
oss  
rss  
D
Simplified AVC, ALC and Modulation  
Typical data for power amplifiers in industrial and  
commercial applications:  
G
G
S
•
•
Typical Performance @ 400 MHz, 28 Vdc  
Output Power — 150 Watts  
Power Gain — 12.5 dB  
(FLANGE)  
CASE 375–04, STYLE 2  
Efficiency — 60%  
D
Typical Performance @ 225 MHz, 28 Vdc  
Output Power — 200 Watts  
Power Gain — 15 dB  
Efficiency — 65%  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
V
DSS  
V
DGR  
65  
(R  
= 1.0 MΩ)  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
±40  
Adc  
Adc  
GS  
Drain Current — Continuous  
I
26  
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
400  
2.27  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.44  
°C/W  
θJC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 1  
1
1234567...16

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与MRF275G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF275L TE

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