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MRF284SR1

更新时间： 2024-11-20 14:43:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	420K
描述
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN

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MRF284SR1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CASE 360C-05, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.05	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF284SR1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF284/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier

applications. To be used in Class A and Class AB for PCN–PCS/cellular radio

and wireless local loop.

2000 MHz, 30 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

• Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 30 Watts PEP

Power Gain = 9 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency = 30%

Intermodulation Distortion = –29 dBc

• Typical Single–Tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 30 Watts CW

Power Gain = 9.5 dB

Efficiency = 45%

CASE 360B–05, STYLE 1

NI–360

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 30 Watts CW

Output Power

MRF284R1

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 360C–05, STYLE 1

NI–360S

MRF284SR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

87.5

0.5

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.0

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

—

1.0

Vdc

µAdc

(BR)DSS

(V = 0, I = 10 µAdc)

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 20 Vdc, V = 0)

DSS

Gate–Source Leakage Current

(V = 20 Vdc, V = 0)

GSS

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 11

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF284R1 MRF284SR1

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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