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MRF3104 PDF预览

MRF3104

更新时间： 2024-11-19 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 晶体晶体管微波放大器
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS

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MRF3104 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：DIFFUSED BALLAST RESISTORS, HIGH RELIABILITY
外壳连接：EMITTER最大集电极电流 (IC)：0.4 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：22 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：O-CRDB-F4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF3104 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF3104/D  
The RF Line  
M
R
F
3
1
0
4
M
i
c
r
o
w
a
v
e
L
i
n
e
a
r
M
R
F
3
1
0
5
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
s
M
R
F
3
1
0
6
•
•
Designed for Class A, Common Emitter Linear Power Amplifiers.  
Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics:  
MRF3104  
MRF3105  
MRF3106  
8.0–12 dB GAIN  
1.55–1.65 GHz  
MICROWAVE LINEAR  
POWER TRANSISTORS  
Output Power  
Power Gain  
0.5 W  
10.5 dB  
0.8 W  
9 dB  
1.6 W  
8 dB  
•
•
•
Low Parasitic Microwave Stripline Package  
Gold Metalization for Improved Reliability  
Diffused Ballast Resistors  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
22  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
50  
CES  
EBO  
V
3.5  
Collector Current  
MRF3104, MRF3105  
MRF3106  
I
C
0.4  
0.8  
CASE 305A–01, STYLE 1  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
200  
°C  
°C  
j
(.204″ PILL)  
T
stg  
–65 to +125  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case, DC  
MRF3104  
MRF3105  
MRF3106  
R
(DC)  
40  
35  
22  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BV  
BV  
BV  
BV  
22  
50  
45  
3.5  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
(I = 10 mA, I = 0)  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mA, V = 0)  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 1 mA, I = 0)  
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.25 mA, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 28 V, I = 0)  
MRF3104, MRF3105  
MRF3106  
I
—
—
—
—
0.25  
0.5  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
20  
35  
120  
—
(V = 5.0 V, I = 100 mA)  
CE  
C
(continued)  
REV 6  
1
1234

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