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MRF314A

更新时间: 2024-11-20 19:26:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
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1页 84K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF314A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.06Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):3.4 A
基于收集器的最大容量:40 pF集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRPM-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):82 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

MRF314A 数据手册

  

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