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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF321
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MRF321

更新时间： 2024-02-23 02:52:29
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 118K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF321 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：1.1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：20最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：27 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
Base Number Matches：1

MRF321 数据手册

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by MRF321/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier  
stages in 200–500 MHz frequency range.  
•
Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 10 Watts  
10 W, 400 MHz  
Power Gain = 12 dB Min  
Efficiency = 50% Min  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability  
Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
33  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
1.1  
1.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
27  
160  
Watts  
mW/°C  
A
CASE 244–04, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
6.4  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
33  
60  
60  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
V
—
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
1.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 500 mA, V  
C CE  
h
FE  
20  
—
80  
—
= 5.0 Vdc)  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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