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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF316
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MRF316

更新时间： 2024-02-16 18:26:44
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 137K
描述
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF316 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：9 A
基于收集器的最大容量：130 pF集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CXFM-F6元件数量：1
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF316 数据手册

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by MRF316/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the  
30–200 MHz frequency range.  
•
Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 80 Watts  
80 W, 3.0–200 MHz  
Minimum Gain = 10 dB  
CONTROLLED “Q”  
BROADBAND RF POWER  
TRANSISTOR  
•
•
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability Applications  
NPN SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
9.0  
13.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
220  
1.26  
Watts  
W/°C  
C
CASE 316–01, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.8  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
V
35  
65  
65  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
5.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 4.0 Adc, V  
C CE  
h
10  
—
—
80  
—
FE  
= 5.0 Vdc)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
100  
130  
pF  
ob  
(V  
CB  
= 28 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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