MRF316

更新时间： 2024-11-17 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF316 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	9 A	基于收集器的最大容量：	200 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CXFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	220 W	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

MRF316 数据手册

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by MRF316/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the

30–200 MHz frequency range.

•

Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc

Output Power = 80 Watts

80 W, 3.0–200 MHz

Minimum Gain = 10 dB

CONTROLLED “Q”

BROADBAND RF POWER

TRANSISTOR

•

Built–In Matching Network for Broadband Operation

100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

Gold Metallization System for High Reliability Applications

NPN SILICON

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

4.0

Collector Current — Continuous

Collector Current — Peak

9.0

13.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

220

1.26

Watts

W/°C

CASE 316–01, STYLE 1

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–65 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.8

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 50 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 50 mAdc, V = 0)

(BR)CES

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 50 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)CBO

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 5.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

5.0

mAdc

CBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 4.0 Adc, V

C CE

—

= 5.0 Vdc)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Output Capacitance

100

130

= 28 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)

NOTE:

(continued)

1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF316

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF317	MACOM	功能相似	Bipolar
MRF316	MACOM	功能相似	Bipolar
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MRF316_17	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon Power Transistor
MRF317	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF317	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF317	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF317	MACOM	获取价格	Bipolar
MRF321	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF321	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF321	TE	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF321	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 33V 1.5A 4-Pin Case 244-04

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