MRF314

更新时间： 2024-02-13 20:51:46

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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MRF314 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	3.4 A
基于收集器的最大容量：	40 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	82 W
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

MRF314 数据手册

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by MRF314/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed primarily for wideband large–signal driver and output amplifier

stages in the 30–200 MHz frequency range.

•

Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc

Output Power = 30 Watts

30 W, 30–200 MHz

Minimum Gain = 10 dB

RF POWER

TRANSISTORS

NPN SILICON

•

100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR

Gold Metallization System for High Reliability Applications

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CEO

CBO

EBO

4.0

3.4

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

0.47

Watts

W/°C

CASE 211–07, STYLE 1

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–65 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.13

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 30 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 30 mAdc, V = 0)

(BR)CES

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 30 mAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)CBO

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 3.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

3.0

mAdc

CBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 1.5 Adc, V

C CE

—

= 5.0 Vdc)

NOTE:

(continued)

1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the devices are operated as RF

amplifiers.

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1994

MRF314

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF314	MACOM	功能相似	Bipolar
BLV21	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF314A	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF314A	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
MRF315	BEL	获取价格	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series
MRF315A	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF315A	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
MRF315AMMO	BEL	获取价格	Electric Fuse, Fast Blow, 0.315A, 35A (IR), MICRO,
MRF316	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF316	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF316	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF316	MACOM	获取价格	Bipolar

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