MRF321

更新时间： 2025-08-19 12:20:03

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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1页	15K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF321 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.1 A	基于收集器的最大容量：	15 pF
集电极-发射极最大电压：	33 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-XRPM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	27 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF321 数据手册

MRF321

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF321 is Designed for

High Power Class C Amplifier, in 225

to 400 MHz Military Communication

Equipment.

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

45°

FEATURES:

• Class C Operation

• P_G= 10 dB at 10 W/400 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

1.1 A

60 V

I_C

#8-32 UNC

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

33 V

4.0 V

27 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

8.0 ^OC/W

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10694

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_EBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_E= 20 mA

I_C= 20 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

I_CBO

1.0

---

I_C= 0.5 A

h_FE

V_CB= 28 V

V_CC= 28 V

f = 860 MHz

f = 400 MHz

C_OB

P_G

P_OUT= 10 W

η_D

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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