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MRF323

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
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泰科 - TE 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 186K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF323 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：2.2 A基于收集器的最大容量：24 pF
集电极-发射极最大电压：33 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRPM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF323 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF323/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
3
2
3
R
F
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier  
stages in the 200–500 MHz frequency range.  
•
Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V  
Output Power = 20 Watts  
20 W, 400 MHz  
RF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Power Gain = 10 dB Min  
Efficiency = 50% Min  
•
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability  
Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
33  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
2.2  
3.0  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
P
D
55  
Watts  
C
Derate above 25°C  
310  
mW/°C  
CASE 244–04, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
3.2  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
33  
60  
60  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
V
—
Vdc  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
2.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
20  
—
80  
—
(I = 1.0 Adc, V = 5.0 Vdc)  
C
CE  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
1
12345

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