MRF326

更新时间： 2024-11-18 10:47:31

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF326 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	80 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F6
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	110 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF326 数据手册

MRF326

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF326 is Designed for

High Power Class C Amplifier in, 225

to 400 MHz Military Communication

Equipment.

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

FEATURES:

• Internal Input Matching Network

• P_G= 8.5 dB at 40 W/400 MHz

• Omnigold™ Metalization System

2x ØN

FULL R

.725/18,42

MAXIMUM RATINGS

8.0 A

60 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

.150 / 3.43

.160 / 4.06

.045 / 1.14

30 V

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

60 V

4.0 V

.125 / 3.18

.725 / 18.42

140 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.25 °C/W

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

.120 / 3.05

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

5.0

---

I_C= 2.0 A

h_FE

V_CB= 28 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 400 MHz

C_OB

8.5

P_G

P_OUT= 40 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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