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MRF323

更新时间： 2024-11-19 14:52:47

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6页	655K
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Bipolar

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MRF323 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	2.2 A
基于收集器的最大容量：	24 pF	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF323 数据手册

MRF323

The RF Line NPN Silicon Power Transistor

20W, 400MHz, 28V

Rev. V1

Designed primarily for wideband large–signal driver and predriver

amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range.

Product Image



Guaranteed performance at 400 MHz, 28 V

Output power = 20 W

Power gain = 10 dB min.

Efficiency = 50% min.



100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR

Gold metallization system for high reliability

Computer–controlled wirebonding gives consistent input impedance

CASE 244–04, STYLE 1

M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.

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MRF323 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SD1143	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

与MRF323相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF325	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF326	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF326	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF327	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF327	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF327	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 33V 9A 4-Pin Case 316-01
MRF327	MACOM	获取价格	Bipolar
MRF329	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF329	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF329	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistor