MRF342

更新时间： 2024-10-01 04:14:39

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ASI		晶体射频双极晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	146K
描述
SILICON POWER NPN TRANSISTOR

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MRF342 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	3 A
基于收集器的最大容量：	30 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF342 数据手册

MRF342

SILICON POWER NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE TO-220AB

The ASI MRF342 is designed for

VHF amplifier applications operating to

150 MHz.

MAXIMUM RATINGS

3.0 A

35 V

I_C

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_DISS

T_J

65 V

4.0 V

55 W @ T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

3.2 °C/W

1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector

4 = Emitter

T_STG

θ_JC

TRANS1.SYM

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 20 mA

I_E= 2.0 mA

4.0

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

_CE= 27 V

_CE= 5.0 V

2.0

I_C= 1.0 A

100

h_FE

C_OB

G_PE

η_C

---

V_CB= 27 V

f = 1.0 MHz

f = 136 MHz

11.5

12.3

V_CC= 13.5 V

P_OUT= 6.0 W

P_OUT= 24 W

V_CC= 27 V

f = 136 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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