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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF329
MRF329 PDF预览

MRF329

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF329 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：9 A
基于收集器的最大容量：125 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：270 W最小功率增益 (Gp)：7 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF329 数据手册

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by MRF329/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier  
stages in the 100 to 500 MHz frequency range.  
•
Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics —  
Output Power = 100 Watts  
100 W, 100 to 500 MHz  
Minimum Gain = 7.0 dB  
Efficiency = 50% (Min)  
CONTROLLED “Q”  
BROADBAND RF POWER  
TRANSISTOR  
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation Using Double Match  
Technique  
NPN SILICON  
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 3:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability  
CASE 333–04, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
9.0  
12  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
270  
1.54  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (2)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.65  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 80 mAdc, I = 0)  
V
30  
60  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 80 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
V
4.0  
Vdc  
(I = 8.0 mAdc, I = 0)  
E
C
NOTES:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
2. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques.  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF331 MOTOROLA

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 		The RF Line
MRF338 MOTOROLA

获取价格

 		BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF338 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF340 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF340 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB
MRF340 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 30V 0.4A T/R
MRF340_07 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF342 ASI

获取价格

 		SILICON POWER NPN TRANSISTOR
MRF342 NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 30V 0.4A T/R
MRF344 MOTOROLA

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 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB

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