MRF340

更新时间： 2024-09-30 22:31:23

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF340 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	12.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF340 数据手册

MRF340

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF340 is Designed for

VHF Radios that use Collector

Modulation in the Driver/Final

Amplifiers to Produce an Amplitude

Modulated Signal.

PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER)

FEATURES INCLUDE:

•

Replaces Original MRF340 in Most

Applications

•

High Gain Reduces Drive

Requirements

• Economical TO-220CE Package

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

50 V

I_C

V_CES

P_DISS

T_STG

12.5 W @ T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

10 °C/W

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR TAB = EMITTER

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 10 mA

I_E= 5.0mA

V_CES= 25V

V_CE= 10V

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

4.0

1.0

---

I_C= 100mA

200

h_FE

V_CB= 30 V

V_CC= 13.5V

V_CC= 27 V

f = 1.0 MHz

f =136 MHz

C_OB

P_out= 2.0 W

G_PE

13.0

15.0

G_PE

P_out= 8.0 W_pk

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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