MRF323

更新时间： 2024-02-16 01:56:07

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	113K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF323 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	2.2 A
基于收集器的最大容量：	24 pF	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	55 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF323 数据手册

Order this document

by MRF323/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier

stages in the 200–500 MHz frequency range.

•

Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V

Output Power = 20 Watts

20 W, 400 MHz

Power Gain = 10 dB Min

Efficiency = 50% Min

RF POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

•

100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

Gold Metallization System for High Reliability

Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

4.0

Collector Current — Continuous

Collector Current — Peak

2.2

3.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

310

Watts

mW/°C

CASE 244–04, STYLE 1

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–65 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

3.2

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, V = 0)

(BR)CES

(BR)CBO

(BR)EBO

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 2.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

2.0

mAdc

CBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 1.0 Adc, V

C CE

—

= 5.0 Vdc)

NOTE:

(continued)

1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1994

MRF323

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

MRF323 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF323	MACOM	功能相似	Bipolar
SD1477	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
SD1275-01	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

与MRF323相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF325	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF326	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF326	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF327	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF327	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF327	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 33V 9A 4-Pin Case 316-01
MRF327	MACOM	获取价格	Bipolar
MRF329	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF329	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF329	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistor

与MRF323相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

9
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

9
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

11
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF323

MRF323 技术参数

MRF323 数据手册

MRF323 替代型号

与MRF323相关器件

与MRF323相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF323

MRF323 技术参数

MRF323 数据手册

MRF323 替代型号

与MRF323相关器件

与MRF323相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？