MRF323

更新时间： 2024-11-17 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管放大器
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描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF323 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	2.2 A
基于收集器的最大容量：	24 pF	集电极-发射极最大电压：	33 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	55 W	最小功率增益 (Gp)：	10 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF323 数据手册

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by MRF323/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier

stages in the 200–500 MHz frequency range.

•

Guaranteed Performance at 400 MHz, 28 V

Output Power = 20 Watts

20 W, 400 MHz

Power Gain = 10 dB Min

Efficiency = 50% Min

RF POWER

TRANSISTOR

NPN SILICON

•

100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

Gold Metallization System for High Reliability

Computer–Controlled Wirebonding Gives Consistent Input Impedance

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

4.0

Collector Current — Continuous

Collector Current — Peak

2.2

3.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

310

Watts

mW/°C

CASE 244–04, STYLE 1

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

stg

–65 to +150

°C

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

3.2

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, I = 0)

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, V = 0)

(BR)CES

(BR)CBO

(BR)EBO

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 20 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 2.0 mAdc, I = 0)

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

2.0

mAdc

CBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 1.0 Adc, V

C CE

—

= 5.0 Vdc)

NOTE:

(continued)

1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1994

MRF323

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF323	MACOM	功能相似	Bipolar
SD1477	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
SD1275-01	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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MRF326	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF326	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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MRF327	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor
MRF327	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 33V 9A 4-Pin Case 316-01
MRF327	MACOM	获取价格	Bipolar
MRF329	MOTOROLA	获取价格	BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
MRF329	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRF329	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistor

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