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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF326
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MRF326

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
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6页 111K
描述
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF326 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, O-CXFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：4.5 A
基于收集器的最大容量：60 pF集电极-发射极最大电压：33 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CXFM-F4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：110 W
最大功率耗散 (Abs)：110 W最小功率增益 (Gp)：9 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：UNSPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF326 数据手册

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by MRF326/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the  
100 to 500 MHz frequency range.  
•
Guaranteed Performance @ 400 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 40 Watts  
40 W, 225 to 400 MHz  
Minimum Gain = 9.0 dB  
CONTROLLED “Q”  
BROADBAND RF POWER  
TRANSISTOR  
•
•
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability Applications  
NPN SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
33  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
4.5  
6.0  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
110  
0.63  
Watts  
W/°C  
C
CASE 316–01, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.6  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 40 mAdc, I = 0)  
V
33  
60  
4.0  
60  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 40 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 4.0 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
(BR)CBO  
E
C
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 40 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
4.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 2.0 Adc, V  
C CE  
h
20  
—
50  
45  
80  
60  
—
FE  
= 5.0 Vdc)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
pF  
ob  
(V  
CB  
= 28 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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