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MRF325

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF325 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：3.4 A
基于收集器的最大容量：40 pF集电极-发射极最大电压：33 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CXFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：82 W最小功率增益 (Gp)：8.5 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF325 数据手册

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by MRF325/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier  
stages in 100 to 500 MHz frequency range.  
•
Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics —  
Output Power = 30 Watts  
30 W, 225 to 400 MHz  
Minimum Gain = 8.5 dB  
Efficiency = 54% (Min)  
CONTROLLED “Q”  
BROADBAND RF POWER  
TRANSISTOR  
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation Using Internal Match-  
ing Techniques  
NPN SILICON  
•
•
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization for High Reliability Applications  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
33  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
3.4  
4.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
82  
0.47  
Watts  
W/°C  
C
CASE 316–01, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
2.13  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
V
33  
60  
4.0  
60  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 30 mAdc, V = 0)  
V
V
(BR)CES  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 3.0 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)CBO  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
3.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 1.5 Adc, V  
C CE  
h
FE  
20  
—
80  
—
= 5.0 Vdc)  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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