MRF372

更新时间： 2024-11-17 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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MRF372 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	68 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A
最大漏极电流 (ID)：	17 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF372 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF372/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of this

device make it ideal for large–signal, common source amplifier applications in

32 volt transmitter equipment.

• Typical Narrowband Two–Tone Performance @ f1 = 857 MHz,

f2 = 863 MHz, 32 Volts

470 – 860 MHz, 180 W, 32 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFET

Output Power — 180 Watts PEP

Power Gain — 17 dB

Efficiency — 36%

IMD — –35 dBc

• Typical Broadband Two–Tone Performance @ f1 = 857 MHz,

f2 = 863 MHz, 32 Volts

Output Power — 180 Watts PEP

Power Gain — 14.5 dB

Efficiency — 37%

IMD — –31 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• Integrated ESD Protection

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles

CASE 375G–04, STYLE 1

NI–860C3

with 3:1 VSWR @ 32 Vdc, f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz, 180 Watts PEP

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Vdc

Adc

– 0.5, +15

Drain Current – Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

350

2.0

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

– 65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

Machine Model

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Each side of device measured separately.

0.5

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 5

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF372

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF372D	MOTOROLA	获取价格	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF372R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor
MRF372R5	FREESCALE	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor
MRF373	MOTOROLA	获取价格	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MO
MRF373A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF373A	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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