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MRF317

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
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5页 145K
描述
The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

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MRF317 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.04
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：12 A
基于收集器的最大容量：175 pF集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CXFM-F6元件数量：1
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF317 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF317/D  
The RF Line  
NP N S ilic on  
M
R
F
3
1
7
R
F
P
o
w
e
r
T
r
a
n
s
i
s
t
o
r
. . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in  
30–200 MHz frequency range.  
•
Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc  
Output Power = 100 W  
100 W, 30–200 MHz  
CONTROLLED Q  
BROADBAND RF POWER  
TRANSISTOR  
Minimum Gain = 9.0 dB  
•
•
•
•
Built–In Matching Network for Broadband Operation  
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR  
Gold Metallization System for High Reliability  
NPN SILICON  
High Output Saturation Power — Ideally Suited for 30 W Carrier/120 W  
Peak AM Amplifier Service  
•
Guaranteed Performance in Broadband Test Fixture  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
4.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak (10 seconds)  
I
C
12  
18  
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
P
D
270  
Watts  
C
Derate above 25°C  
1.54  
W/°C  
CASE 316–01, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.65  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
35  
65  
65  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
V
—
Vdc  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
5.0  
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
10  
25  
80  
—
(I = 5.0 Adc, V = 5.0 Vdc)  
C
CE  
NOTE:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
REV 7  
1
12345

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