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MRF2947RAT2

更新时间： 2024-11-23 22:23:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 185K
描述
LOW NOISE TRANSISTORS

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MRF2947RAT2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：75最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9000 MHzBase Number Matches：1

MRF2947RAT2 数据手册

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by MRF2947/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Motorola’s MRF2947 device contains two high performance, low–noise NPN  
silicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the high  
performance six leaded SC–70ML package; yielding a 9 GHz current  
gain–bandwidth product.  
The RF performance at levels of 1 volt and 1 mA makes the MRF2947 well  
suited for low–voltage, low–current, front–end applications such as paging,  
cellular, GSM, DECT, CT2 and other portable wireless systems. The MRF2947  
is fully ion–implanted with gold metallization and nitride passivation for  
maximum device reliability, performance and uniformity.  
I
= 50 mA  
LOW NOISE  
Cmax  
TRANSISTORS  
•
•
•
•
•
Low Noise Figure, NF = 1.5 dB (Typ) @ 1 GHz @ 5 mA  
High Current Gain–Bandwidth Product, f = 9 GHz (Typ) @ 6 Volts, 15 mA  
t
Maximum Stable Gain, 18 dB @ 1 GHz @ 5 mA  
Output Third Order Intercept, OIP = +27 dBm  
3
CASE 419B–01, STYLES 16 & 17  
SC–70ML/SOT–363  
Available in Tape and Reel Packaging Options:  
T1 Suffix = 3,000 Units per 8 mm, 7 inch Reel  
T2 Suffix = 3,000 Units per 8 mm, 7 inch Reel (reverse device  
orientation in tape)  
STYLE 16  
STYLE 17  
B1  
E2  
C2  
C1 B1  
E1 E1  
B2 C2  
C1  
E2  
B2  
MRF2947AT1,T2  
MRF2947RAT1,T2  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
10  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
Vdc  
1.5  
Vdc  
Power Dissipation (1) T = 75°C  
P
Dmax  
0.188  
2.5  
Watts  
mW/°C  
C
Derate linearly above T = 75°C @  
C
Collector Current — Continuous (2)  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
50  
150  
mA  
C
T
°C  
Jmax  
T
stg  
–55 to +150  
400  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
DEVICE MARKINGS  
R
°C/W  
θJC  
MRF2947AT1,T2 = WU  
MRF2947RAT1,T2 = XR  
(1) To calculate the junction temperature use T = P x R + T . The case temperature is measured on collector lead adjacent to the package  
θJC C  
J
D
body.  
(2) I — Continuous (MTBF > 10 years).  
C
Motorola, Inc. 1997  
1234567...12

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