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MRF282ZR1 PDF预览

MRF282ZR1

更新时间： 2024-01-20 20:10:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 313K
描述
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN

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MRF282ZR1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.40
风险等级：5.23Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF282ZR1 数据手册

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ꢒ ꢓ ꢎ ꢓꢀ ꢓ ꢔꢕ  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Sub–Micron MOSFET Line  
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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications  
with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and  
multicarrier amplifier applications.  
2000 MHz, 10 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
• Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts  
Output Power — 10 Watts PEP  
Power Gain — 10.5 dB  
RF POWER MOSFETs  
Efficiency — 28%  
Intermodulation Distortion — –31 dBc  
• Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts  
Output Power — 10 Watts CW  
Power Gain — 9.5 dB  
Efficiency — 35%  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc,  
CASE 458B–03, STYLE 1  
(NI–200S)  
2000 MHz, 10 Watts CW Output Power  
• Excellent Thermal Stability  
(MRF282SR1)  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal  
Impedance Parameters  
• Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
CASE 458C–03, STYLE 1  
(NI–200Z)  
(MRF282ZR1)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
20  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
60  
0.34  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
4.2  
°C/W  
θ
JC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
65  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
µAdc  
µAdc  
(BR)DSS  
(V = 0, I = 10 µAdc)  
GS  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 28 Vdc, V = 0)  
I
1.0  
1.0  
DSS  
DS  
GS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 Vdc, V = 0)  
I
GSS  
GS  
DS  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 12  
MRF282SR1 MRF282ZR1  
5–30  
MOTOROLA WIRELESS  
RF PRODUCT DEVICE DATA  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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