MRF284

更新时间： 2024-01-03 18:57:37

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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描述
RF Power Field-Effect Transistors

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MRF284 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

MRF284 数据手册

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by MRF284/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Sub–Micron MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from

1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier

applications. To be used in class A and class AB for PCN–PCS/cellular radio

and wireless local loop.

30 W, 2000 MHz, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

•

Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 30 Watts (PEP)

Power Gain = 9 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency = 30%

Intermodulation Distortion = –29 dBc

•

Typical Single–Tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 30 Watts (CW)

Power Gain = 9.5 dB

Efficiency = 45%

CASE 360B–01, STYLE 1

(MRF284)

•

Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

S–Parameter Characterization at High Bias Levels

Excellent Thermal Stability

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 30 Watts (CW)

Output Power

CASE 360C–03, STYLE 1

(MRF284S)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

±20

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

87.5

0.5

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.0

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 10 µAdc)

—

1.0

Vdc

µAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 20 Vdc, V = 0)

DSS

GSS

Gate–Source Leakage Current

(V = 20 Vdc, V = 0)

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 3

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF284 MRF284S

12 3 4 5 6 7...12

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MRF284LR1	ROCHESTER	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
MRF284LR1	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
MRF284LSR1	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
MRF284LSR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF284R1	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360, CASE 360B-05, 3 PIN
MRF284S	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistors
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MRF284SR1	NXP	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF2857HXV	MOTOROLA	获取价格	Transistor

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