MRF282S

更新时间： 2024-09-26 22:45:59

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
11页	146K
描述
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF282S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF282S 数据手册

Order this document

by MRF282/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Sub–Micron MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at

frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier

amplifier applications.

10 W, 2000 MHz, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

•

Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (PEP)

Power Gain = 11 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency = 30%

Intermodulation Distortion = –30 dBc

•

Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (CW)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 40%

Characterized with Series Equivalent Large–Signal

Impedance Parameters

CASE 458–03, STYLE 1

(MRF282S)

•

S–Parameter Characterization at High Bias Levels

Excellent Thermal Stability

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc,

2000 MHz, 10 Watts (CW) Output Power

CASE 458A–01, STYLE 1

(MRF282Z)

•

Gold Metallization for Improved Reliability

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

±20

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

0.34

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.9

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 10 µAdc)

—

Vdc

µAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 28 Vdc, V = 0)

1.0

DSS

GSS

Gate–Source Leakage Current

(V = 20 Vdc, V = 0)

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 1

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF282S MRF282Z

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

MRF282S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF282Z	MOTOROLA	功能相似	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

与MRF282S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF282SR1	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200S, CASE 458B-03, 2 PIN
MRF282SR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF282Z	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF282ZR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF282ZR1	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN
MRF284	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistors
MRF284	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF284	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-360
MRF284LR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF284LR1	ROCHESTER	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN

与MRF282S相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

14
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

12
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF282S

MRF282S 技术参数

MRF282S 数据手册

MRF282S 替代型号

与MRF282S相关器件

与MRF282S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF282S

MRF282S 技术参数

MRF282S 数据手册

MRF282S 替代型号

与MRF282S相关器件

与MRF282S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？