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MRF275L PDF预览

MRF275L

更新时间： 2024-11-21 14:52:27
品牌 Logo 应用领域
MACOM /
页数 文件大小 规格书
18页 1183K
描述
TMOS

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MRF275L 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：270 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF275L 数据手册

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MRF275L  
The RF MOSFET Line  
100W, 500MHz, 28V  
Rev. V1  
Designed for broadband commercial and military applica-  
tions using single ended circuits at frequencies to 500  
MHz. The high power, high gain and broadband perform-  
ance of this device makes possible solid state transmitters  
for FM broadcast or TV channel frequency bands.  
Product Image  
N-Channel enhancement mode  
Guaranteed performance @ 500 MHz, 28 Vdc  
Output power — 100 W  
Power gain — 8.8 dB typ.  
Efficiency — 55% typ.  
100% ruggedness tested at rated output power  
Low thermal resistance  
Low Crss — 17 pF typ. @ VDS = 28 V  
CASE 333–04, STYLE 2  
1
M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.  
Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
For further information and support please visit:  
https://www.macom.com/support  
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MRF275L 替代型号

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