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MRF275L

更新时间： 2024-09-26 22:45:59

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描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET

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MRF275L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF275L 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF275L/D

The RF MOSFET Line

MRF275L

RF Power

Field-Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode

100 W, 28 V, 500 MHz

N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER FET

Designed for broadband commercial and military applications using single

ended circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and

broadband performance of this device makes possible solid state transmitters

for FM broadcast or TV channel frequency bands.

•

Guaranteed Performance @ 500 MHz, 28 Vdc

Output Power — 100 Watts

Power Gain — 8.8 dB Typ

Efficiency — 55% Typ

•

100% Ruggedness Tested At Rated Output Power

Low Thermal Resistance

Low C

rss

— 17 pF Typ @ V

= 28 Volts

CASE 333–04, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

±20

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.65

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 50 mA)

—

Vdc

mAdc

µAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 28 V, V = 0)

2.5

1.0

DSS

Gate–Body Leakage Current

(V = 20 V, V = 0)

GSS

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV2

12 3 4 5 6 7...13

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MRF281SR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF281SR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF281SR1_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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