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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF21010LSR1
MRF21010LSR1 PDF预览

MRF21010LSR1

更新时间： 2024-09-12 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 542K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF21010LSR1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.15Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF21010LSR1 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MRF21010/D  
The RF MOSFET Line  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF21010LR1  
MRF21010LSR1  
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110  
to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier  
applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL  
applications.  
2170 MHz, 10 W, 28 V  
LATERAL N-CHANNEL  
BROADBAND  
RF POWER MOSFETs  
• Typical W-CDMA Performance: -45 dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,  
5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH  
Output Power — 2.1 Watts  
Power Gain — 13.5 dB  
Efficiency — 21%  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Capable of Handling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz,  
CASE 360B-05, STYLE 1  
NI-360  
10 Watts CW Output Power  
MRF21010LR1  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.  
• Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.  
CASE 360C-05, STYLE 1  
NI-360S  
MRF21010LSR1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
- 0.5, +15  
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
43.75  
0.25  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
θ
JC  
5.5  
°C/W  
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
1 (Minimum)  
M1 (Minimum)  
Machine Model  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 7  
Motorola, Inc. 2003  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
 
12345678

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与MRF21010LSR1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF21010R1 MOTOROLA

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 		S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360, CASE 360B-05, 3 PIN
MRF21010S MOTOROLA

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 		S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF21010S NXP

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-391B
MRF21030 MOTOROLA

获取价格

 		S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465E-03, 3 PIN
MRF21030D MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21030LR3 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors
MRF21030LR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21030LR5 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF21030LSR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21030LSR3 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors

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