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MMDTD136

更新时间： 2024-11-16 14:53:59

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数字三极管

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MMDTD136 数据手册

MMDTD136

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

For switching and interface circuit and drive circuit

applications

Collector

(Output)

Base

(Input)

Features

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

- 5 to + 10

500

Power Dissipation

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Dated : 02/11/2021 Rev:03

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