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MMDTX141FDW

更新时间： 2024-09-17 14:55:47

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数字三极管

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MMDTX141FDW 数据手册

MMDTX141FDW

Complementary PNP/NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Transistors with different polarity and built-in bias

resistors R1 and R2

TR2

TR1

• Simplification of circuit design

• Reduces number of components and board space

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Applications

• For switching and interface circuit and drivecircuit applications

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25℃ (TR1)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25℃ (TR2)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25℃ (TR1 and TR2)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

200

Unit

℃/W

℃

Total Power Dissipation

Maximum Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

625

R_θJA

T_j

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 08/12/2022 Rev: 02

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