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MMDTX231DW

更新时间： 2024-09-17 14:52:59

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数字三极管

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MMDTX231DW 数据手册

MMDTX231DW

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built-in bias resistors R1(2.2 KΩ) and R2(2.2 KΩ)

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

TR2

TR1

• Reduces Component Count

TR1: 1.Emitter 2.Base 6.Collector

TR2: 4.Emitter 5.Base 3.Collector

SOT-363 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃) : TR1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃): TR2

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃): TR1 and TR2

Parameter

Symbol

P_D

Value

200

Unit

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

625

R_θJA

℃/W

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

℃

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 22/08/2023 Rev: 01

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