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MMDTX237DW

更新时间： 2024-09-17 14:50:07

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数字三极管

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MMDTX237DW 数据手册

MMDTX237DW

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Built in bias resistor NPN and PNP

• Simplification of circuit design

• Reduces number of components and board space

TR2

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Applications

• For switching and interface circuit and drivecircuit

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

Parameter

Symbol

P_tot

Value

250

Unit

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Junction Temperature

R_θJA

T_j

500

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR2)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

1 / 5

Dated: 03/03/2022 Rev:02

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