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MMDTX4144EW

更新时间: 2024-11-07 14:55:19
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先科 - SWST /
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5页 997K
描述
数字三极管

MMDTX4144EW 数据手册

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MMDTX4144EW  
Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
5
4
Features  
R1  
R2  
TR2  
R2  
R1  
• Built-in bias resistors  
TR1 (R1=47KΩ, R2=47KΩ)  
TR2 (R1=10KΩ, R2=47KΩ)  
TR1  
TR1: 1. Emitter 2. Base 5. Collector  
TR2: 3. Emitter 5. Base 4. Collector  
SOT-353 Plastic package  
1
3
2
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR1)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
50  
50  
V
- 10 to + 40  
30  
V
mA  
mA  
mW  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
ICM  
100  
PD  
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR2)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
-VCBO  
-VCEO  
VEBO  
-IC  
50  
50  
V
V
- 40 to + 6  
100  
V
mA  
mA  
mW  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
-ICM  
PD  
100  
150  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics (TR1/TR2)  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
833  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 5  
Dated09/05/2023 Rev: 02  

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