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MMDTX1441DE

更新时间： 2024-11-07 14:55:15

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数字三极管

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MMDTX1441DE 数据手册

MMDTX1441DE

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• Transistors with different polarity and built-in bias

resistors R1 and R2

TR2

TR1

• Simplification of circuit design

• Reduces number of components and board space

TR1:1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2:4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-563 Plastic package

Applications

• For switching and interface circuit and drivecircuit applications

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR2)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Collector Current

100

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

(TR1 and TR2)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

357

Unit

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ¹⁾

Junction Temperature

R_θJA

T_j

350

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 22/03/2023 Rev: 03

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