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MMDTX151DW

更新时间： 2024-09-17 14:54:11

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数字三极管

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MMDTX151DW 数据手册

MMDTX151DW

Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

For switching and interface circuit and drivecircuit applications

Features

• Transistors with different polarity and built-in bias

resistors R1(100 KΩ) and R2(100 KΩ)

• Built-In Biasing Resistors

TR2

TR1

TR1: 1.Emitter 2.Base 6.Collector

TR2: 4.Emitter 5.Base 3.Collector

SOT-363 Plastic Package

• Epitaxial Planar Die Construction

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ) : TR1

Parameter

Symbol

Value

- 10 to + 40

Unit

Input Voltage

V_I

I_C

Collector Current

Collector Current Pulse

I_CM

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ): TR2

Parameter

Symbol

V_I

Value

+ 10 to - 40

Unit

Input Voltage

Collector Current

Collector Current Pulse

-I_C

-I_CM

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ) (TR1 and TR2)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

200

Unit

Total Power Dissipation ^{1) 2)}

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

625

R_θJA

T_j

- 55 to + 150

T_stg

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾150mW per element must not be exceeded.

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Dated: 08/08/2023 Rev：02

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