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MMDTD234W

更新时间： 2024-11-07 14:53:59

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数字三极管

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MMDTD234W 数据手册

MMDTD234W

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Collector

(Output)

Applications

• For switching and interface circuit and drive circuit application

Base

(Input)

Resistance Values

Emitter

(Common)

R1 (KΩ)

2.2

R2 (KΩ)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

- 5 to + 12

500

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

200

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 26/04/2022 Rev：01

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