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MMDTD420

更新时间: 2024-11-21 14:53:55
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描述
数字三极管

MMDTD420 数据手册

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MMDTD220~MMDTD427  
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors  
Features  
Collector  
(Output)  
• With built-in bias resistors  
R1  
• Simplify circuit design  
Base  
(Input)  
• Reduce a quantity of parts and  
manufacturing process  
R2  
Emitter  
(Common)  
1.Base 2.Emitter 3.Collecter  
SOT-23 Plastic Package  
Applications  
• For switching, interface circuit and drive circuit  
applications  
Resistor Values  
Type  
R1 (KΩ)  
0.22  
0.47  
0.22  
0.47  
R2 (KΩ)  
MMDTD228  
MMDTD427  
MMDTD220  
MMDTD420  
10  
10  
-
-
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
VCBO  
VCEO  
50  
V
V
40  
-5 to +6  
-5 to +6  
5
MMDTD228  
MMDTD427  
MMDTD220  
MMDTD420  
V
Emitter Base Voltage  
VEBO  
5
Collector Current  
IC  
Ptot  
Tj  
500  
mA  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
200  
mW  
O
150  
C
O
TStg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Value  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient1)  
1) Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 4  
Dated25/03/2022 Rev01  

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