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MMDTD231

更新时间： 2024-11-07 14:55:39

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数字三极管

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MMDTD231 数据手册

MMDTD231

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

Base

(Input)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Emitter

(Common)

Applications

• For switching and interface circuit and drive circuit

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

V_CBO

V_CEO

V_IN

I_C

- 10 to + 12

500

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated : 14/09/2023 Rev:04

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