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MMDTX144DW

更新时间: 2024-11-25 14:55:31
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先科 - SWST /
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5页 966K
描述
数字三极管

MMDTX144DW 数据手册

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MMDTX144DW  
Complementary NPN/PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor  
For switching and interface circuit and drivecircuit applications  
6
5
4
Features  
TR2  
• Transistors with different polarity and built-in bias  
resistors R1 and R2  
TR1  
1
• Simplification of circuit design  
• Reduces number of components and board space  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
4. Emitter 5. Base 6. Collector  
SOT-363 Plastic Package  
2
3
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR1)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
6
V
100  
mA  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR2)  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
-IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
6
V
100  
mA  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25  
(TR1 and TR2)  
Parameter  
Symbol  
Ptot  
Value  
200  
Unit  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Tj  
150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 150  
625  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.  
RθJA  
/W  
1 / 5  
®
Dated: 27/10/2021 Rev: 02  

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